P-Channel MOSFET Transistor, 74 A, 55 V, 3-Pin TO-220AB International Rectifier IRF4905PBF

RS tilauskoodi: 300-515Tuotemerkki: International RectifierValmistajan osanumero.: IRF4905PBF
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

74 A

Maximum Drain Source Voltage

55 V

Package Type

TO-220AB

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

20 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

200 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Typical Gate Charge @ Vgs

180 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Transistor Material

Si

Series

HEXFET

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

8.77mm

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Saatat olla kiinnostunut
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Hintaa ei saatavilla

P-Channel MOSFET Transistor, 74 A, 55 V, 3-Pin TO-220AB International Rectifier IRF4905PBF

Hintaa ei saatavilla

P-Channel MOSFET Transistor, 74 A, 55 V, 3-Pin TO-220AB International Rectifier IRF4905PBF
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Saatat olla kiinnostunut

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

74 A

Maximum Drain Source Voltage

55 V

Package Type

TO-220AB

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

20 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

200 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Typical Gate Charge @ Vgs

180 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Transistor Material

Si

Series

HEXFET

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

8.77mm

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Saatat olla kiinnostunut