IXYS HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 150 A, 150 V, 4-Pin SOT-227 IXFN180N15P
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
IXYSChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
150 A
Maximum Drain Source Voltage
150 V
Series
HiperFET, Polar
Package Type
SOT-227
Mounting Type
Screw Mount
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
11 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Maximum Power Dissipation
680 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
240 nC @ 10 V
Width
25.42mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
38.23mm
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
9.6mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 34,40
€ 34,40 kpl (ilman ALV)
€ 43,17
€ 43,17 kpl (Sis ALV:n)
Standardi
1
€ 34,40
€ 34,40 kpl (ilman ALV)
€ 43,17
€ 43,17 kpl (Sis ALV:n)
Standardi
1
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta |
|---|---|
| 1 - 4 | € 34,40 |
| 5+ | € 30,90 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
IXYSChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
150 A
Maximum Drain Source Voltage
150 V
Series
HiperFET, Polar
Package Type
SOT-227
Mounting Type
Screw Mount
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
11 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Maximum Power Dissipation
680 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
240 nC @ 10 V
Width
25.42mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
38.23mm
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
9.6mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.