IXYS Linear L2 N-Channel MOSFET, 178 A, 100 V, 4-Pin SOT-227 IXTN200N10L2
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
IXYSChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
178 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Series
Linear L2
Package Type
SOT-227
Mounting Type
Screw Mount
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
11 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
830 W
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
25.07mm
Length
38.23mm
Typical Gate Charge @ Vgs
540 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.4V
Height
9.6mm
Alkuperämaa
Philippines
Tuotetiedot
N-Channel Power MOSFET, IXYS Linear Series
N-Channel Power MOSFETs designed specifically for linear operation. These devices feature extended Forward Bias Safe Operating Area (FBSOA) for increased ruggedness and reliability.
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 520,00
€ 52,00 1 kpl (10 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 652,60
€ 65,26 1 kpl (10 kpl/putki) (Sis ALV:n)
10
€ 520,00
€ 52,00 1 kpl (10 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 652,60
€ 65,26 1 kpl (10 kpl/putki) (Sis ALV:n)
10
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
IXYSChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
178 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Series
Linear L2
Package Type
SOT-227
Mounting Type
Screw Mount
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
11 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
830 W
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
25.07mm
Length
38.23mm
Typical Gate Charge @ Vgs
540 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.4V
Height
9.6mm
Alkuperämaa
Philippines
Tuotetiedot
N-Channel Power MOSFET, IXYS Linear Series
N-Channel Power MOSFETs designed specifically for linear operation. These devices feature extended Forward Bias Safe Operating Area (FBSOA) for increased ruggedness and reliability.
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.