Nexperia N-Channel MOSFET, 190 mA, 100 V, 3-Pin SOT-23 BST82,215

RS tilauskoodi: 112-5548Tuotemerkki: NexperiaValmistajan osanumero.: BST82,215
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Nexperia

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

190 mA

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

10 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.5V

Maximum Power Dissipation

830 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Length

3mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Width

1.4mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-65 °C

Height

1mm

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

N-Channel MOSFET, 100V and Higher, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

€ 0,84

€ 0,169 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 1,06

€ 0,212 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Nexperia N-Channel MOSFET, 190 mA, 100 V, 3-Pin SOT-23 BST82,215
Valitse pakkaustyyppi

€ 0,84

€ 0,169 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 1,06

€ 0,212 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Nexperia N-Channel MOSFET, 190 mA, 100 V, 3-Pin SOT-23 BST82,215

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Nexperia

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

190 mA

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

10 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.5V

Maximum Power Dissipation

830 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Length

3mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Width

1.4mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-65 °C

Height

1mm

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

N-Channel MOSFET, 100V and Higher, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja