Nexperia PBSS4350T,215 NPN Transistor, 2 A, 50 V, 3-Pin SOT-23
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
NexperiaTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
2 A
Maximum Collector Emitter Voltage
50 V
Package Type
SOT-23 (TO-236AB)
Mounting Type
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
1.2 W
Minimum DC Current Gain
300
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
50 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Frequency
100 MHz
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Dimensions
1 x 3 x 1.4mm
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
Low Saturation Voltage NPN Transistors
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage NPN Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.
Bipolar Transistors, Nexperia
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 279,00
€ 0,093 1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 350,14
€ 0,117 1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
€ 279,00
€ 0,093 1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 350,14
€ 0,117 1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
NexperiaTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
2 A
Maximum Collector Emitter Voltage
50 V
Package Type
SOT-23 (TO-236AB)
Mounting Type
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
1.2 W
Minimum DC Current Gain
300
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
50 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Frequency
100 MHz
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Dimensions
1 x 3 x 1.4mm
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
Low Saturation Voltage NPN Transistors
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage NPN Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.
Bipolar Transistors, Nexperia
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.