Nexperia N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V, 4-Pin LFPAK, SOT-669 PSMN2R6-40YS,115
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
LFPAK, SOT-669
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
3.7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
131 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Length
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
63 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Width
4.1mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.1mm
Alkuperämaa
Philippines
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, 40V to 55V
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 7,50
€ 1,50 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 9,41
€ 1,882 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
5
€ 7,50
€ 1,50 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 9,41
€ 1,882 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
5
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
LFPAK, SOT-669
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
3.7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
131 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Length
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
63 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Width
4.1mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.1mm
Alkuperämaa
Philippines
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, 40V to 55V
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.