onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET, 170 mA, 100 V, 3-Pin SOT-23 BSS123

RS tilauskoodi: 671-0321PTuotemerkki: onsemiValmistajan osanumero.: BSS123
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

170 mA

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Package Type

SOT-23

Series

PowerTrench

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

6 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.8V

Maximum Power Dissipation

360 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

1.3mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

2.92mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

1.8 nC @ 10 V

Height

0.93mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

PowerTrench® N-Channel MOSFET, up to 9.9A, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 22,70

€ 0,227 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 28,49

€ 0,285 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET, 170 mA, 100 V, 3-Pin SOT-23 BSS123
Valitse pakkaustyyppi

€ 22,70

€ 0,227 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 28,49

€ 0,285 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET, 170 mA, 100 V, 3-Pin SOT-23 BSS123
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

MääräYksikköhintaPer Kela
100 - 240€ 0,227€ 2,27
250 - 490€ 0,196€ 1,96
500 - 990€ 0,172€ 1,72
1000+€ 0,158€ 1,58

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

170 mA

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Package Type

SOT-23

Series

PowerTrench

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

6 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.8V

Maximum Power Dissipation

360 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

1.3mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

2.92mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

1.8 nC @ 10 V

Height

0.93mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

PowerTrench® N-Channel MOSFET, up to 9.9A, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja