onsemi N-Channel MOSFET, 200 mA, 50 V, 3-Pin SOT-23 BSS138LT1G
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Maximum Drain Source Voltage
50 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
3.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
225 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
1.3mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
2.9mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
0.94mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
N-Channel Power MOSFET, 50V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 5,20
€ 0,208 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 6,53
€ 0,261 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
25
€ 5,20
€ 0,208 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 6,53
€ 0,261 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
25
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 25 - 75 | € 0,208 | € 5,20 |
| 100 - 225 | € 0,179 | € 4,48 |
| 250 - 475 | € 0,155 | € 3,88 |
| 500 - 975 | € 0,136 | € 3,40 |
| 1000+ | € 0,124 | € 3,10 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Maximum Drain Source Voltage
50 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
3.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
225 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
1.3mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
2.9mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
0.94mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
N-Channel Power MOSFET, 50V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.