onsemi NDS352AP P-Channel MOSFET, 900 mA, 30 V, 3-Pin SOT-23 NDS352AP
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
900 mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SOT-23
Series
NDS352AP
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
0.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
20V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.8V
Maximum Power Dissipation
500 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
2 nC @ 4.5 V
Number of Elements per Chip
1
Width
1.4mm
Length
2.92mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
0.94mm
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 486,00
€ 0,162 1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 609,93
€ 0,203 1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
€ 486,00
€ 0,162 1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 609,93
€ 0,203 1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
900 mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SOT-23
Series
NDS352AP
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
0.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
20V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.8V
Maximum Power Dissipation
500 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
2 nC @ 4.5 V
Number of Elements per Chip
1
Width
1.4mm
Length
2.92mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
0.94mm
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.