onsemi NTP N-Channel MOSFET, 40 A, 650 V, 3-Pin TO-220 NTP082N65S3HF

RS tilauskoodi: 214-8910Tuotemerkki: onsemiValmistajan osanumero.: NTP082N65S3HF
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

40 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Series

NTP

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.082 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 235,00

€ 4,70 1 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 294,92

€ 5,898 1 kpl (50 kpl/putki) (Sis ALV:n)

onsemi NTP N-Channel MOSFET, 40 A, 650 V, 3-Pin TO-220 NTP082N65S3HF

€ 235,00

€ 4,70 1 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 294,92

€ 5,898 1 kpl (50 kpl/putki) (Sis ALV:n)

onsemi NTP N-Channel MOSFET, 40 A, 650 V, 3-Pin TO-220 NTP082N65S3HF
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

40 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Series

NTP

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.082 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja