P-Channel MOSFET Transistor, 1.3 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 onsemi NTR1P02LT1G
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ON SemiconductorChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
1.3 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
220 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
400 mW
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Typical Gate Charge @ Vgs
5.5 nC @ 4 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
2.9mm
Width
1.3mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
0.94mm
Tuotetiedot
MOSFETs - P-Channel
The Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor or MOSFET is a transistor used for amplifying or switching electronic signals.A voltage on the oxide-insulated Gate electrode can induce a conducting channel between the two other contacts called Source and Drain. The channel can be of N-type or P-type.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Hintaa ei saatavilla
1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
2
Hintaa ei saatavilla
1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
2
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ON SemiconductorChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
1.3 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
220 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
400 mW
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Typical Gate Charge @ Vgs
5.5 nC @ 4 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
2.9mm
Width
1.3mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
0.94mm
Tuotetiedot
MOSFETs - P-Channel
The Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor or MOSFET is a transistor used for amplifying or switching electronic signals.A voltage on the oxide-insulated Gate electrode can induce a conducting channel between the two other contacts called Source and Drain. The channel can be of N-type or P-type.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.