Renesas BEAM N-Channel MOSFET, 50 A, 30 V, 8-Pin WPAK RJK0391DPA-00#J5A
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
Renesas ElectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Series
BEAM
Package Type
WPAK
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
0.0029 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Number of Elements per Chip
1
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 3 000,00
€ 1,00 1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 3 765,00
€ 1,255 1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
€ 3 000,00
€ 1,00 1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 3 765,00
€ 1,255 1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
Renesas ElectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Series
BEAM
Package Type
WPAK
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
0.0029 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Number of Elements per Chip
1
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.