ROHM RZM001P02 P-Channel MOSFET, 100 mA, 20 V, 3-Pin SOT-723 RZM001P02T2L
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ROHMChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
100 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Series
RZM001P02
Package Type
SOT-723
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
40 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.3V
Maximum Power Dissipation
150 mW
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Width
0.9mm
Number of Elements per Chip
1
Length
1.3mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
0.45mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Tuotetiedot
P-Channel MOSFET Transistors, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 6,88
€ 0,055 1 kpl (125 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 8,63
€ 0,069 1 kpl (125 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
125
€ 6,88
€ 0,055 1 kpl (125 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 8,63
€ 0,069 1 kpl (125 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
125
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 125 - 500 | € 0,055 | € 6,88 |
| 625 - 1125 | € 0,052 | € 6,50 |
| 1250 - 3000 | € 0,047 | € 5,88 |
| 3125 - 6125 | € 0,046 | € 5,75 |
| 6250+ | € 0,044 | € 5,50 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ROHMChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
100 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Series
RZM001P02
Package Type
SOT-723
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
40 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.3V
Maximum Power Dissipation
150 mW
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Width
0.9mm
Number of Elements per Chip
1
Length
1.3mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
0.45mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Tuotetiedot
P-Channel MOSFET Transistors, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.