STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET, 40 A, 1200 V, 4-Pin HiP247-4 SCT040W120G3-4

RS tilauskoodi: 214-958Tuotemerkki: STMicroelectronicsValmistajan osanumero.: SCT040W120G3-4
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

40 A

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Series

SCT

Package Type

HiP247-4

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

4

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Alkuperämaa

China

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 24,80

€ 24,80 kpl (ilman ALV)

€ 31,12

€ 31,12 kpl (Sis ALV:n)

STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET, 40 A, 1200 V, 4-Pin HiP247-4 SCT040W120G3-4
Valitse pakkaustyyppi

€ 24,80

€ 24,80 kpl (ilman ALV)

€ 31,12

€ 31,12 kpl (Sis ALV:n)

STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET, 40 A, 1200 V, 4-Pin HiP247-4 SCT040W120G3-4
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

40 A

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Series

SCT

Package Type

HiP247-4

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

4

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Alkuperämaa

China

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja