STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET, 30 A, 750 V, 7-Pin HU3PAK SCT060HU75G3AG

RS tilauskoodi: 215-239Tuotemerkki: STMicroelectronicsValmistajan osanumero.: SCT060HU75G3AG
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

30 A

Maximum Drain Source Voltage

750 V

Series

SCT

Package Type

HU3PAK

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

7

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Alkuperämaa

Japan

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 7 560,00

€ 12,60 1 kpl (600 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 9 487,80

€ 15,813 1 kpl (600 kpl/kela) (Sis ALV:n)

STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET, 30 A, 750 V, 7-Pin HU3PAK SCT060HU75G3AG

€ 7 560,00

€ 12,60 1 kpl (600 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 9 487,80

€ 15,813 1 kpl (600 kpl/kela) (Sis ALV:n)

STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET, 30 A, 750 V, 7-Pin HU3PAK SCT060HU75G3AG
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

30 A

Maximum Drain Source Voltage

750 V

Series

SCT

Package Type

HU3PAK

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

7

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Alkuperämaa

Japan

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja