STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 17 A, 650 V, 3-Pin D2PAK STB24NM60N

RS tilauskoodi: 760-9499PTuotemerkki: STMicroelectronicsValmistajan osanumero.: STB24NM60N
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

17 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Package Type

D2PAK (TO-263)

Series

MDmesh

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

190 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

125 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Length

10.75mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Typical Gate Charge @ Vgs

46 nC @ 10 V

Width

10.4mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

4.6mm

Tuotetiedot

N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 37,50

€ 3,75 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 47,06

€ 4,71 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 17 A, 650 V, 3-Pin D2PAK STB24NM60N
Valitse pakkaustyyppi

€ 37,50

€ 3,75 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 47,06

€ 4,71 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 17 A, 650 V, 3-Pin D2PAK STB24NM60N
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

MääräYksikköhinta
10 - 99€ 3,75
100 - 499€ 3,35
500 - 999€ 2,95
1000+€ 2,55

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

17 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Package Type

D2PAK (TO-263)

Series

MDmesh

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

190 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

125 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Length

10.75mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Typical Gate Charge @ Vgs

46 nC @ 10 V

Width

10.4mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

4.6mm

Tuotetiedot

N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja