STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 3 A, 900 V, 3-Pin DPAK STD3NK90ZT4
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
3 A
Maximum Drain Source Voltage
900 V
Series
MDmesh, SuperMESH
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
4.8 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
90 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Width
6.2mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
6.6mm
Typical Gate Charge @ Vgs
22.7 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
2.4mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 1 697,50
€ 0,679 1 kpl (2500 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 2 130,36
€ 0,852 1 kpl (2500 kpl/kela) (Sis ALV:n)
2500
€ 1 697,50
€ 0,679 1 kpl (2500 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 2 130,36
€ 0,852 1 kpl (2500 kpl/kela) (Sis ALV:n)
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
2500
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
3 A
Maximum Drain Source Voltage
900 V
Series
MDmesh, SuperMESH
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
4.8 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
90 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Width
6.2mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
6.6mm
Typical Gate Charge @ Vgs
22.7 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
2.4mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.