STMicroelectronics MOSFET, 3-Pin TO-220 STGP8NC60KD

RS tilauskoodi: 188-8292Tuotemerkki: STMicroelectronicsValmistajan osanumero.: STGP8NC60KD
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

6.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

4.5V

Maximum Power Dissipation

65 W

Transistor Configuration

Single

Number of Elements per Chip

1

Width

4.6mm

Length

10.4mm

Typical Gate Charge @ Vgs

19 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

2.1V

Height

15.75mm

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

€ 37,90

€ 0,758 1 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 47,56

€ 0,951 1 kpl (50 kpl/putki) (Sis ALV:n)

STMicroelectronics MOSFET, 3-Pin TO-220 STGP8NC60KD

€ 37,90

€ 0,758 1 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 47,56

€ 0,951 1 kpl (50 kpl/putki) (Sis ALV:n)

STMicroelectronics MOSFET, 3-Pin TO-220 STGP8NC60KD

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

6.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

4.5V

Maximum Power Dissipation

65 W

Transistor Configuration

Single

Number of Elements per Chip

1

Width

4.6mm

Length

10.4mm

Typical Gate Charge @ Vgs

19 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

2.1V

Height

15.75mm

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja