STMicroelectronics STGWA30H65DFB2 IGBT, 50 A 650 V, 3-Pin TO-247
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsMaximum Continuous Collector Current
50 A
Maximum Collector Emitter Voltage
650 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Maximum Power Dissipation
167 W
Number of Transistors
1
Package Type
TO-247
Pin Count
3
Alkuperämaa
China
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 72,00
€ 2,40 1 kpl (30 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 90,36
€ 3,012 1 kpl (30 kpl/putki) (Sis ALV:n)
30
€ 72,00
€ 2,40 1 kpl (30 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 90,36
€ 3,012 1 kpl (30 kpl/putki) (Sis ALV:n)
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
30
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsMaximum Continuous Collector Current
50 A
Maximum Collector Emitter Voltage
650 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Maximum Power Dissipation
167 W
Number of Transistors
1
Package Type
TO-247
Pin Count
3
Alkuperämaa
China
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.