STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 400 mA, 600 V, 3-Pin SOT-223 STN1HNK60
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
400 mA
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Series
MDmesh, SuperMESH
Package Type
SOT-223
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
8.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.7V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.25V
Maximum Power Dissipation
3.3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
7 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Width
3.5mm
Number of Elements per Chip
1
Length
6.5mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1.8mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250V to 650V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 9,96
€ 0,996 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 12,50
€ 1,25 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
10
€ 9,96
€ 0,996 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 12,50
€ 1,25 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
10
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 10 - 20 | € 0,996 | € 9,96 |
| 30 - 90 | € 0,944 | € 9,44 |
| 100 - 490 | € 0,711 | € 7,11 |
| 500 - 990 | € 0,603 | € 6,03 |
| 1000+ | € 0,483 | € 4,83 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
400 mA
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Series
MDmesh, SuperMESH
Package Type
SOT-223
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
8.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.7V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.25V
Maximum Power Dissipation
3.3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
7 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Width
3.5mm
Number of Elements per Chip
1
Length
6.5mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1.8mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250V to 650V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.