STMicroelectronics STripFET H7 N-Channel MOSFET, 90 A, 80 V, 3-Pin TO-220 STP140N8F7
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
90 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Series
STripFET H7
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
4.3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
200 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
4.6mm
Length
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
96 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Height
15.75mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 17,25
€ 3,45 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 21,65
€ 4,33 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
5
€ 17,25
€ 3,45 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 21,65
€ 4,33 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
5
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 5 - 5 | € 3,45 | € 17,25 |
| 10+ | € 3,25 | € 16,25 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
90 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Series
STripFET H7
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
4.3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
200 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
4.6mm
Length
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
96 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Height
15.75mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.