STMicroelectronics N-Channel MOSFET Transistor, 15 A, 3-Pin TO-220 STP26N60DM6
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
15 A
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
195 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.75V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.25V
Maximum Power Dissipation
110 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
Number of Elements per Chip
1
Width
4.6mm
Length
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
24 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.6V
Height
15.75mm
Alkuperämaa
China
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 9,00
€ 4,50 1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 11,30
€ 5,648 1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
2
€ 9,00
€ 4,50 1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 11,30
€ 5,648 1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
2
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 2 - 8 | € 4,50 | € 9,00 |
| 10 - 18 | € 4,20 | € 8,40 |
| 20 - 48 | € 4,00 | € 8,00 |
| 50 - 98 | € 3,75 | € 7,50 |
| 100+ | € 3,60 | € 7,20 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
15 A
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
195 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.75V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.25V
Maximum Power Dissipation
110 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
Number of Elements per Chip
1
Width
4.6mm
Length
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
24 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.6V
Height
15.75mm
Alkuperämaa
China
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.