STMicroelectronics ST SiC N-Channel MOSFET Module, 68 A, 650 V Depletion, 3-Pin TO-247 STW70N65DM6

RS tilauskoodi: 202-5546Tuotemerkki: STMicroelectronicsValmistajan osanumero.: STW70N65DM6
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

68 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Series

ST

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.036 Ω

Channel Mode

Depletion

Maximum Gate Threshold Voltage

4.75V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 327,00

€ 10,90 1 kpl (30 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 410,38

€ 13,68 1 kpl (30 kpl/putki) (Sis ALV:n)

STMicroelectronics ST SiC N-Channel MOSFET Module, 68 A, 650 V Depletion, 3-Pin TO-247 STW70N65DM6

€ 327,00

€ 10,90 1 kpl (30 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 410,38

€ 13,68 1 kpl (30 kpl/putki) (Sis ALV:n)

STMicroelectronics ST SiC N-Channel MOSFET Module, 68 A, 650 V Depletion, 3-Pin TO-247 STW70N65DM6
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

68 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Series

ST

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.036 Ω

Channel Mode

Depletion

Maximum Gate Threshold Voltage

4.75V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja