STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET, 138 A, 650 V, 3-Pin Max247 STY145N65M5

RS tilauskoodi: 880-5474Tuotemerkki: STMicroelectronicsValmistajan osanumero.: STY145N65M5
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

138 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Series

MDmesh

Package Type

Max247

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

15 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

625 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-25 V, +25 V

Width

5.3mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

15.9mm

Typical Gate Charge @ Vgs

414 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

20.3mm

Forward Diode Voltage

1.5V

Tuotetiedot

N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 44,90

€ 44,90 kpl (ilman ALV)

€ 56,35

€ 56,35 kpl (Sis ALV:n)

STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET, 138 A, 650 V, 3-Pin Max247 STY145N65M5
Valitse pakkaustyyppi

€ 44,90

€ 44,90 kpl (ilman ALV)

€ 56,35

€ 56,35 kpl (Sis ALV:n)

STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET, 138 A, 650 V, 3-Pin Max247 STY145N65M5
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

138 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Series

MDmesh

Package Type

Max247

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

15 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

625 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-25 V, +25 V

Width

5.3mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

15.9mm

Typical Gate Charge @ Vgs

414 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

20.3mm

Forward Diode Voltage

1.5V

Tuotetiedot

N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja