STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET, 138 A, 650 V, 3-Pin Max247 STY145N65M5
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
138 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Series
MDmesh
Package Type
Max247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
15 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
625 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Length
15.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
414 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
5.3mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Height
20.3mm
Forward Diode Voltage
1.5V
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 41,50
€ 41,50 kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)
€ 52,08
€ 52,08 kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Putki)
1
€ 41,50
€ 41,50 kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)
€ 52,08
€ 52,08 kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tuotantopakkaus (Putki)
1
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
138 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Series
MDmesh
Package Type
Max247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
15 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
625 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Length
15.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
414 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
5.3mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Height
20.3mm
Forward Diode Voltage
1.5V
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.