Toshiba N-Channel MOSFET, 2 A, 40 V, 3-Pin SOT-23 SSM3K339R

RS tilauskoodi: 171-2471Tuotemerkki: ToshibaValmistajan osanumero.: SSM3K339R
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

2 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

390 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

2 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±12 V

Number of Elements per Chip

1

Width

1.8mm

Length

2.9mm

Typical Gate Charge @ Vgs

1.1 nC @ 4.2 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Height

0.7mm

Alkuperämaa

Thailand

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 7,80

€ 0,156 1 kpl (50 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 9,79

€ 0,196 1 kpl (50 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Toshiba N-Channel MOSFET, 2 A, 40 V, 3-Pin SOT-23 SSM3K339R
Valitse pakkaustyyppi

€ 7,80

€ 0,156 1 kpl (50 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 9,79

€ 0,196 1 kpl (50 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Toshiba N-Channel MOSFET, 2 A, 40 V, 3-Pin SOT-23 SSM3K339R
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
50 - 100€ 0,156€ 7,80
150 - 450€ 0,131€ 6,55
500 - 950€ 0,112€ 5,60
1000+€ 0,096€ 4,80

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

2 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

390 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

2 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±12 V

Number of Elements per Chip

1

Width

1.8mm

Length

2.9mm

Typical Gate Charge @ Vgs

1.1 nC @ 4.2 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Height

0.7mm

Alkuperämaa

Thailand

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja