Toshiba TK N-Channel MOSFET, 31 A, 600 V, 3-Pin TO-3PN TK31J60W5,S1VQ(O

RS tilauskoodi: 896-2331Tuotemerkki: ToshibaValmistajan osanumero.: TK31J60W5,S1VQ(O
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

31 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Series

TK

Package Type

TO-3PN

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

99 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.7V

Maximum Power Dissipation

230 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Width

4.5mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

15.5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

105 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

20mm

Alkuperämaa

Japan

Tuotetiedot

MOSFET N-Channel, TK3x Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 3,20

€ 3,20 kpl (ilman ALV)

€ 4,02

€ 4,02 kpl (Sis ALV:n)

Toshiba TK N-Channel MOSFET, 31 A, 600 V, 3-Pin TO-3PN TK31J60W5,S1VQ(O

1

Pakkauskoko 1
1€ 3,20
2€ 6,40
3€ 9,60
4€ 12,80
5€ 16,00
6€ 19,20
7€ 22,40
8€ 25,60
9€ 28,80
10€ 21,00
11€ 23,10
12€ 25,20
13€ 27,30
14€ 29,40
15€ 31,50

€ 3,20

€ 3,20 kpl (ilman ALV)

€ 4,02

€ 4,02 kpl (Sis ALV:n)

Toshiba TK N-Channel MOSFET, 31 A, 600 V, 3-Pin TO-3PN TK31J60W5,S1VQ(O
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

1

Pakkauskoko 1
1€ 3,20
2€ 6,40
3€ 9,60
4€ 12,80
5€ 16,00
6€ 19,20
7€ 22,40
8€ 25,60
9€ 28,80
10€ 21,00
11€ 23,10
12€ 25,20
13€ 27,30
14€ 29,40
15€ 31,50

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

MääräYksikköhinta
1 - 9€ 3,20
10 - 19€ 2,10
20 - 39€ 2,05
40 - 79€ 1,95
80+€ 1,90

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

31 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Series

TK

Package Type

TO-3PN

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

99 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.7V

Maximum Power Dissipation

230 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Width

4.5mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

15.5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

105 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

20mm

Alkuperämaa

Japan

Tuotetiedot

MOSFET N-Channel, TK3x Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja