Toshiba TK N-Channel MOSFET, 62 A, 600 V, 3-Pin TO-247 TK62N60W,S1VF(S
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
62 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Package Type
TO-247
Series
TK
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
40 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.7V
Maximum Power Dissipation
400 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
15.94mm
Typical Gate Charge @ Vgs
180 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Width
5.02mm
Height
20.95mm
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
MOSFET N-Channel, TK6 & TK7 Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 318,00
€ 10,60 1 kpl (30 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 399,09
€ 13,303 1 kpl (30 kpl/putki) (Sis ALV:n)
30
€ 318,00
€ 10,60 1 kpl (30 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 399,09
€ 13,303 1 kpl (30 kpl/putki) (Sis ALV:n)
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
30
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Putki |
|---|---|---|
| 30 - 120 | € 10,60 | € 318,00 |
| 150 - 270 | € 9,50 | € 285,00 |
| 300+ | € 8,90 | € 267,00 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
62 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Package Type
TO-247
Series
TK
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
40 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.7V
Maximum Power Dissipation
400 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
15.94mm
Typical Gate Charge @ Vgs
180 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Width
5.02mm
Height
20.95mm
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
MOSFET N-Channel, TK6 & TK7 Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.