Toshiba TK N-Channel MOSFET, 9 A, 900 V, 3-Pin TO-3PN TK9J90E
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
9 A
Maximum Drain Source Voltage
900 V
Package Type
TO-3PN
Series
TK
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
1.3 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
250 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Length
15.5mm
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
46 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Width
4.5mm
Height
20mm
Alkuperämaa
Japan
Tuotetiedot
MOSFET N-channel, TK8 & TK9 Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 86,25
€ 3,45 1 kpl (25 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 108,24
€ 4,33 1 kpl (25 kpl/putki) (Sis ALV:n)
25
€ 86,25
€ 3,45 1 kpl (25 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 108,24
€ 4,33 1 kpl (25 kpl/putki) (Sis ALV:n)
25
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
9 A
Maximum Drain Source Voltage
900 V
Package Type
TO-3PN
Series
TK
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
1.3 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
250 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Length
15.5mm
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
46 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Width
4.5mm
Height
20mm
Alkuperämaa
Japan
Tuotetiedot
MOSFET N-channel, TK8 & TK9 Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.