Toshiba Silicon N-Channel MOSFET, 168 A, 75 V, 8-Pin SOP TPH2R608NH,L1Q(M
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
168 A
Maximum Drain Source Voltage
75 V
Package Type
SOP
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
2.6e+006 Ω
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Silicon
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 4 035,00
€ 0,807 1 kpl (5000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 5 063,92
€ 1,013 1 kpl (5000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
5000
€ 4 035,00
€ 0,807 1 kpl (5000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 5 063,92
€ 1,013 1 kpl (5000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
5000
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
168 A
Maximum Drain Source Voltage
75 V
Package Type
SOP
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
2.6e+006 Ω
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Silicon
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.