Vishay Siliconix TrenchFET P-Channel MOSFET, 100 A, 40 V, 3-Pin DPAK SQD40061EL_GE3

RS tilauskoodi: 178-3960Tuotemerkki: Vishay SiliconixValmistajan osanumero.: SQD40061EL_GE3
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Series

TrenchFET

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

10 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.5V

Maximum Power Dissipation

107 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Number of Elements per Chip

1

Width

2.38mm

Length

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

185 nC @ 10 V

Transistor Material

Si

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Height

6.22mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.5V

Alkuperämaa

Taiwan, Province Of China

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 14,50

€ 1,45 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 18,20

€ 1,82 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Vishay Siliconix TrenchFET P-Channel MOSFET, 100 A, 40 V, 3-Pin DPAK SQD40061EL_GE3
Valitse pakkaustyyppi

€ 14,50

€ 1,45 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 18,20

€ 1,82 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Vishay Siliconix TrenchFET P-Channel MOSFET, 100 A, 40 V, 3-Pin DPAK SQD40061EL_GE3
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
10 - 90€ 1,45€ 14,50
100 - 490€ 1,25€ 12,50
500 - 990€ 1,10€ 11,00
1000+€ 0,955€ 9,55

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Series

TrenchFET

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

10 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.5V

Maximum Power Dissipation

107 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Number of Elements per Chip

1

Width

2.38mm

Length

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

185 nC @ 10 V

Transistor Material

Si

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Height

6.22mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.5V

Alkuperämaa

Taiwan, Province Of China

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja