Vishay P-Channel MOSFET, 1.6 A, 60 V, 4-Pin HVMDIP IRFD9020PBF
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
1.6 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
HVMDIP
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
280 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
1.3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
5mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
6.29mm
Typical Gate Charge @ Vgs
19 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
3.37mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
6.3V
Alkuperämaa
Philippines
Tuotetiedot
P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 15,50
€ 1,55 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 19,45
€ 1,945 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
10
€ 15,50
€ 1,55 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 19,45
€ 1,945 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
10
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 1,55 | € 15,50 |
| 100 - 240 | € 1,55 | € 15,50 |
| 250 - 490 | € 1,35 | € 13,50 |
| 500 - 990 | € 1,25 | € 12,50 |
| 1000+ | € 1,05 | € 10,50 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
1.6 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
HVMDIP
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
280 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
1.3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
5mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
6.29mm
Typical Gate Charge @ Vgs
19 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
3.37mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
6.3V
Alkuperämaa
Philippines
Tuotetiedot
P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.