Vishay N-Channel MOSFET, 16 A, 600 V, 3-Pin TO-247AC IRFPC60LCPBF
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
16 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Package Type
TO-247AC
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
400 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
280 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
120 nC @ 10 V
Width
5.31mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
15.87mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
20.7mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 4,65
€ 4,65 kpl (ilman ALV)
€ 5,84
€ 5,84 kpl (Sis ALV:n)
Standardi
1
€ 4,65
€ 4,65 kpl (ilman ALV)
€ 5,84
€ 5,84 kpl (Sis ALV:n)
Standardi
1
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta |
|---|---|
| 1 - 9 | € 4,65 |
| 10 - 49 | € 4,45 |
| 50 - 99 | € 4,20 |
| 100 - 249 | € 3,70 |
| 250+ | € 3,50 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
16 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Package Type
TO-247AC
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
400 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
280 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
120 nC @ 10 V
Width
5.31mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
15.87mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
20.7mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.