Vishay N-Channel MOSFET, 20 A, 40 V, 8-Pin SOIC SI4124DY-T1-GE3
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
SOIC
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
9 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
5.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
51 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Width
4mm
Number of Elements per Chip
1
Length
5mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.55mm
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 13,00
€ 1,30 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 16,32
€ 1,632 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
10
€ 13,00
€ 1,30 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 16,32
€ 1,632 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
10
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 10 - 40 | € 1,30 | € 13,00 |
| 50 - 90 | € 1,25 | € 12,50 |
| 100 - 240 | € 1,10 | € 11,00 |
| 250 - 490 | € 1,05 | € 10,50 |
| 500+ | € 0,991 | € 9,91 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
SOIC
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
9 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
5.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
51 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Width
4mm
Number of Elements per Chip
1
Length
5mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.55mm
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.