Vishay Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 40 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SI7288DP-T1-GE3
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
PowerPAK SO-8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
22 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
15.6 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
5mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Length
5.99mm
Typical Gate Charge @ Vgs
10 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1.07mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 2 058,00
€ 0,686 1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 2 582,79
€ 0,861 1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
€ 2 058,00
€ 0,686 1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 2 582,79
€ 0,861 1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
PowerPAK SO-8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
22 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
15.6 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
5mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Length
5.99mm
Typical Gate Charge @ Vgs
10 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1.07mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.