Vishay Dual Silicon N-Channel MOSFET, 8.8 A, 100 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SIS112LDN-T1-GE3

RS tilauskoodi: 268-8340Tuotemerkki: VishayValmistajan osanumero.: SIS112LDN-T1-GE3
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

8.8 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Package Type

PowerPAK 1212-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

2

Transistor Material

Silicon

Alkuperämaa

China

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 15,45

€ 0,618 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 19,39

€ 0,776 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Vishay Dual Silicon N-Channel MOSFET, 8.8 A, 100 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SIS112LDN-T1-GE3
Valitse pakkaustyyppi

€ 15,45

€ 0,618 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 19,39

€ 0,776 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Vishay Dual Silicon N-Channel MOSFET, 8.8 A, 100 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SIS112LDN-T1-GE3
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
25 - 25€ 0,618€ 15,45
50 - 75€ 0,606€ 15,15
100 - 225€ 0,462€ 11,55
250 - 975€ 0,452€ 11,30
1000+€ 0,28€ 7,00

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

8.8 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Package Type

PowerPAK 1212-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

2

Transistor Material

Silicon

Alkuperämaa

China

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja