Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET, 40 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SISA04DN-T1-GE3

RS tilauskoodi: 768-9307PTuotemerkki: VishayValmistajan osanumero.: SISA04DN-T1-GE3
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

40 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Series

TrenchFET

Package Type

PowerPAK 1212-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

3.1 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1.1V

Maximum Power Dissipation

52 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-16 V, +20 V

Width

3.15mm

Length

3.15mm

Typical Gate Charge @ Vgs

51 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Height

1.12mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 29,00

€ 1,45 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 36,40

€ 1,82 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET, 40 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SISA04DN-T1-GE3
Valitse pakkaustyyppi

€ 29,00

€ 1,45 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 36,40

€ 1,82 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET, 40 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SISA04DN-T1-GE3
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

MääräYksikköhintaPer Kela
20 - 98€ 1,45€ 2,90
100 - 198€ 1,30€ 2,60
200 - 498€ 1,20€ 2,40
500+€ 1,15€ 2,30

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

40 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Series

TrenchFET

Package Type

PowerPAK 1212-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

3.1 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1.1V

Maximum Power Dissipation

52 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-16 V, +20 V

Width

3.15mm

Length

3.15mm

Typical Gate Charge @ Vgs

51 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Height

1.12mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja