Vishay AEC-Q101, Automotive, TrenchFET® N-Channel MOSFET, 11.5 A, 250 V, 3-Pin DPAK SQD10950E_GE3

RS tilauskoodi: 200-6792Tuotemerkki: VishayValmistajan osanumero.: SQD10950E_GE3
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

11.5 A

Maximum Drain Source Voltage

250 V

Series

AEC-Q101, Automotive, TrenchFET®

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.18 Ω, 0.162 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Number of Elements per Chip

1

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

€ 1 056,00

€ 0,528 1 kpl (2000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 1 325,28

€ 0,663 1 kpl (2000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

Vishay AEC-Q101, Automotive, TrenchFET® N-Channel MOSFET, 11.5 A, 250 V, 3-Pin DPAK SQD10950E_GE3

2000

Pakkauskoko 2000
2000€ 1 056,00
4000€ 2 112,00
6000€ 3 168,00
8000€ 4 224,00
10000€ 5 280,00
12000€ 6 336,00
14000€ 7 392,00
16000€ 8 448,00
18000€ 9 504,00
20000€ 10 560,00
22000€ 11 616,00
24000€ 12 672,00
26000€ 13 728,00
28000€ 14 784,00
30000€ 15 840,00

€ 1 056,00

€ 0,528 1 kpl (2000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 1 325,28

€ 0,663 1 kpl (2000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

Vishay AEC-Q101, Automotive, TrenchFET® N-Channel MOSFET, 11.5 A, 250 V, 3-Pin DPAK SQD10950E_GE3

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

2000

Pakkauskoko 2000
2000€ 1 056,00
4000€ 2 112,00
6000€ 3 168,00
8000€ 4 224,00
10000€ 5 280,00
12000€ 6 336,00
14000€ 7 392,00
16000€ 8 448,00
18000€ 9 504,00
20000€ 10 560,00
22000€ 11 616,00
24000€ 12 672,00
26000€ 13 728,00
28000€ 14 784,00
30000€ 15 840,00

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

11.5 A

Maximum Drain Source Voltage

250 V

Series

AEC-Q101, Automotive, TrenchFET®

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.18 Ω, 0.162 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Number of Elements per Chip

1

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja