Vishay Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 60 A, 40 (Channel 1) V, 40 (Channel 2) V, 6-Pin PowerPAK SO-8L Dual SQJ208EP-T1_GE3
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A, 60 A
Maximum Drain Source Voltage
40 (Channel 1) V, 40 (Channel 2) V
Package Type
PowerPAK SO-8L Dual
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
0.0067 (Channel 2) Ω, 0.016 (Channel 1) Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.3 (Channel 1) V, 2.4 (Channel 2) V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.3 (Channel 1) V, 1.4 (Channel 2) V
Maximum Power Dissipation
27 W, 48 W
Transistor Configuration
Dual
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
2
Width
4.47mm
Length
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
22 nC @ 10 V (Channel 1), 48.2 nC @ 10 V (Channel 2)
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.01mm
Automotive Standard
AEC-Q101
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 1 821,00
€ 0,607 1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 2 285,36
€ 0,762 1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
€ 1 821,00
€ 0,607 1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 2 285,36
€ 0,762 1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A, 60 A
Maximum Drain Source Voltage
40 (Channel 1) V, 40 (Channel 2) V
Package Type
PowerPAK SO-8L Dual
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
0.0067 (Channel 2) Ω, 0.016 (Channel 1) Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.3 (Channel 1) V, 2.4 (Channel 2) V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.3 (Channel 1) V, 1.4 (Channel 2) V
Maximum Power Dissipation
27 W, 48 W
Transistor Configuration
Dual
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
2
Width
4.47mm
Length
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
22 nC @ 10 V (Channel 1), 48.2 nC @ 10 V (Channel 2)
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.01mm
Automotive Standard
AEC-Q101
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.