Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
110 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
D2PAK (TO-263)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
3.75 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
160 nC @ 10 V
Width
9.65mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.41mm
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
4.83mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Alkuperämaa
Taiwan, Province Of China
Tuotetiedot
P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 81,25
€ 3,25 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 101,97
€ 4,079 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Kela)
25
€ 81,25
€ 3,25 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 101,97
€ 4,079 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Kela)
25
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Määrä | Yksikköhinta | Per Kela |
---|---|---|
25 - 45 | € 3,25 | € 16,25 |
50 - 120 | € 3,05 | € 15,25 |
125 - 245 | € 2,85 | € 14,25 |
250+ | € 2,30 | € 11,50 |
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
110 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
D2PAK (TO-263)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
3.75 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
160 nC @ 10 V
Width
9.65mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.41mm
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
4.83mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Alkuperämaa
Taiwan, Province Of China
Tuotetiedot