Infineon HEXFET Silicon P-Channel MOSFET, 13 A, 150 V, 3-Pin DPAK AUIRFR6215TRL

RS tilauskoodi: 229-1744Tuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: AUIRFR6215TRL
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

13 A

Maximum Drain Source Voltage

150 V

Package Type

DPAK (TO-252)

Series

HEXFET

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.295 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Transistor Material

Silicon

Number of Elements per Chip

1

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

€ 14,75

€ 2,95 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 18,51

€ 3,702 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Infineon HEXFET Silicon P-Channel MOSFET, 13 A, 150 V, 3-Pin DPAK AUIRFR6215TRL
Valitse pakkaustyyppi

€ 14,75

€ 2,95 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 18,51

€ 3,702 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Infineon HEXFET Silicon P-Channel MOSFET, 13 A, 150 V, 3-Pin DPAK AUIRFR6215TRL

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
5 - 45€ 2,95€ 14,75
50 - 120€ 2,60€ 13,00
125 - 245€ 2,45€ 12,25
250 - 495€ 2,25€ 11,25
500+€ 2,10€ 10,50

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

13 A

Maximum Drain Source Voltage

150 V

Package Type

DPAK (TO-252)

Series

HEXFET

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.295 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Transistor Material

Silicon

Number of Elements per Chip

1

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja