STMicroelectronics SiC N-Channel MOSFET, 91 A, 1200 V, 3-Pin HiP247 SCTW70N120G2V
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
91 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Series
SCTW70N
Package Type
Hip247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
0.021 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.9V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
SiC
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 1 197,00
€ 39,90 1 kpl (30 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 1 502,24
€ 50,074 1 kpl (30 kpl/putki) (Sis ALV:n)
30
€ 1 197,00
€ 39,90 1 kpl (30 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 1 502,24
€ 50,074 1 kpl (30 kpl/putki) (Sis ALV:n)
30
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
91 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Series
SCTW70N
Package Type
Hip247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
0.021 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.9V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
SiC
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.