STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 9 A, 800 V, 3-Pin TO-247 STW10NK80Z

RS tilauskoodi: 485-8572Tuotemerkki: STMicroelectronicsValmistajan osanumero.: STW10NK80Z
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

9 A

Maximum Drain Source Voltage

800 V

Package Type

TO-247

Series

MDmesh, SuperMESH

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

900 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

160 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

15.75mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Width

5.15mm

Typical Gate Charge @ Vgs

72 nC @ 10 V

Height

20.15mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Saatat olla kiinnostunut
N-channel MOSFET,2SK2607 9A 800V
N-channel MOSFET,2SK2607 9A 800VTuotemerkki: Toshiba
Hintaa ei saatavillakpl (ilman ALV)
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 5,70

€ 5,70 kpl (ilman ALV)

€ 7,15

€ 7,15 kpl (Sis ALV:n)

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 9 A, 800 V, 3-Pin TO-247 STW10NK80Z
Valitse pakkaustyyppi

Standardi

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 1.

Tuotanto -

Pakkauskoko 1.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

1

Pakkauskoko 1
1€ 5,70
2€ 11,40
3€ 17,10
4€ 22,80
5€ 28,50
6€ 34,20
7€ 39,90
8€ 45,60
9€ 51,30
10€ 52,00
11€ 57,20
12€ 62,40
13€ 67,60
14€ 72,80
15€ 78,00

€ 5,70

€ 5,70 kpl (ilman ALV)

€ 7,15

€ 7,15 kpl (Sis ALV:n)

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 9 A, 800 V, 3-Pin TO-247 STW10NK80Z
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Standardi

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 1.

Tuotanto -

Pakkauskoko 1.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

1

Pakkauskoko 1
1€ 5,70
2€ 11,40
3€ 17,10
4€ 22,80
5€ 28,50
6€ 34,20
7€ 39,90
8€ 45,60
9€ 51,30
10€ 52,00
11€ 57,20
12€ 62,40
13€ 67,60
14€ 72,80
15€ 78,00

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

MääräYksikköhinta
1 - 9€ 5,70
10 - 24€ 5,20
25 - 99€ 4,85
100 - 499€ 3,90
500+€ 3,45

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Saatat olla kiinnostunut
N-channel MOSFET,2SK2607 9A 800V
N-channel MOSFET,2SK2607 9A 800VTuotemerkki: Toshiba
Hintaa ei saatavillakpl (ilman ALV)

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

9 A

Maximum Drain Source Voltage

800 V

Package Type

TO-247

Series

MDmesh, SuperMESH

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

900 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

160 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

15.75mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Width

5.15mm

Typical Gate Charge @ Vgs

72 nC @ 10 V

Height

20.15mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Saatat olla kiinnostunut
N-channel MOSFET,2SK2607 9A 800V
N-channel MOSFET,2SK2607 9A 800VTuotemerkki: Toshiba
Hintaa ei saatavillakpl (ilman ALV)