STMicroelectronics MDmesh M2 N-Channel MOSFET, 26 A, 650 V, 3-Pin TO-247 STW33N60M2

RS tilauskoodi: 829-1504PTuotemerkki: STMicroelectronicsValmistajan osanumero.: STW33N60M2
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

26 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Series

MDmesh M2

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

125 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

190 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-25 V, +25 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

15.75mm

Typical Gate Charge @ Vgs

45.5 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Width

5.15mm

Height

20.15mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics

A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 53,00

€ 5,30 kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)

€ 66,52

€ 6,65 kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)

STMicroelectronics MDmesh M2 N-Channel MOSFET, 26 A, 650 V, 3-Pin TO-247 STW33N60M2
Valitse pakkaustyyppi

€ 53,00

€ 5,30 kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)

€ 66,52

€ 6,65 kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)

STMicroelectronics MDmesh M2 N-Channel MOSFET, 26 A, 650 V, 3-Pin TO-247 STW33N60M2
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

MääräYksikköhinta
10 - 99€ 5,30
100 - 499€ 4,15
500+€ 3,75

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

26 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Series

MDmesh M2

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

125 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

190 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-25 V, +25 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

15.75mm

Typical Gate Charge @ Vgs

45.5 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Width

5.15mm

Height

20.15mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics

A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja