Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 272 A, 100 V, 3-Pin D2PAK CSD19536KTTT
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
272 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Series
NexFET
Package Type
D2PAK (TO-263)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
2.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
375 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
9.65mm
Length
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
118 nC @ 0 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Height
4.83mm
Alkuperämaa
Philippines
Tuotetiedot
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 227,50
€ 4,55 1 kpl (50 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 285,51
€ 5,71 1 kpl (50 kpl/kela) (Sis ALV:n)
50
€ 227,50
€ 4,55 1 kpl (50 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 285,51
€ 5,71 1 kpl (50 kpl/kela) (Sis ALV:n)
50
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
272 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Series
NexFET
Package Type
D2PAK (TO-263)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
2.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
375 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
9.65mm
Length
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
118 nC @ 0 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Height
4.83mm
Alkuperämaa
Philippines
Tuotetiedot
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.