Vishay N-Channel MOSFET, 2.6 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 SI2302DDS-T1-GE3
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.6 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
75 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.85V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
0.71 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±8 V
Number of Elements per Chip
1
Width
1.4mm
Length
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
3.5 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
1.02mm
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 390,00
€ 0,13 1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 489,45
€ 0,163 1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
€ 390,00
€ 0,13 1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 489,45
€ 0,163 1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
3000
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.6 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
75 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.85V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
0.71 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±8 V
Number of Elements per Chip
1
Width
1.4mm
Length
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
3.5 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
1.02mm
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.