Vishay N-Channel 60 V N-Channel MOSFET, 602 A, 60 V, 4-Pin PowerPAK 8 x 8L SQJQ160E-T1_GE3

RS tilauskoodi: 225-9966Tuotemerkki: VishayValmistajan osanumero.: SQJQ160E-T1_GE3
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

602 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

N-Channel 60 V

Package Type

PowerPAK 8 x 8L

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

0.0018 Ω

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Number of Elements per Chip

1

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

€ 3 600,00

€ 1,80 1 kpl (2000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 4 518,00

€ 2,259 1 kpl (2000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

Vishay N-Channel 60 V N-Channel MOSFET, 602 A, 60 V, 4-Pin PowerPAK 8 x 8L SQJQ160E-T1_GE3

€ 3 600,00

€ 1,80 1 kpl (2000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 4 518,00

€ 2,259 1 kpl (2000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

Vishay N-Channel 60 V N-Channel MOSFET, 602 A, 60 V, 4-Pin PowerPAK 8 x 8L SQJQ160E-T1_GE3

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

602 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

N-Channel 60 V

Package Type

PowerPAK 8 x 8L

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

0.0018 Ω

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Number of Elements per Chip

1

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja