Infineon BFR360FH6327XTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 35 mA, 6 V, 3-Pin TSFP

RS tilauskoodi: 892-2302Tuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: BFR360FH6327XTSA1
brand-logo

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Transistor Type

NPN

Maximum DC Collector Current

35 mA

Maximum Collector Emitter Voltage

6 V

Package Type

TSFP

Mounting Type

Surface Mount

Maximum Power Dissipation

210 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage

15 V

Maximum Emitter Base Voltage

2 V

Maximum Operating Frequency

14 GHz

Pin Count

3

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Dimensions

1.2 x 0.8 x 0.55mm

Tuotetiedot

RF Bipolar Transistors, Infineon

Bipolar Transistors, Infineon

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 13,50

€ 0,27 1 kpl (50 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 16,94

€ 0,339 1 kpl (50 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Infineon BFR360FH6327XTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 35 mA, 6 V, 3-Pin TSFP
Valitse pakkaustyyppi

€ 13,50

€ 0,27 1 kpl (50 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 16,94

€ 0,339 1 kpl (50 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Infineon BFR360FH6327XTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 35 mA, 6 V, 3-Pin TSFP
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Transistor Type

NPN

Maximum DC Collector Current

35 mA

Maximum Collector Emitter Voltage

6 V

Package Type

TSFP

Mounting Type

Surface Mount

Maximum Power Dissipation

210 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage

15 V

Maximum Emitter Base Voltage

2 V

Maximum Operating Frequency

14 GHz

Pin Count

3

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Dimensions

1.2 x 0.8 x 0.55mm

Tuotetiedot

RF Bipolar Transistors, Infineon

Bipolar Transistors, Infineon

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja