Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
35 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
12 V
Package Type
SOT-23 (TO-236AB)
Mounting Type
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
300 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
15 V
Maximum Emitter Base Voltage
2 V
Maximum Operating Frequency
6000 MHz
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Dimensions
1 x 3 x 1.4mm
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
RF Bipolar Transistors, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
€ 300,00
€ 0,10 1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 376,50
€ 0,126 1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
€ 300,00
€ 0,10 1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 376,50
€ 0,126 1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
35 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
12 V
Package Type
SOT-23 (TO-236AB)
Mounting Type
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
300 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
15 V
Maximum Emitter Base Voltage
2 V
Maximum Operating Frequency
6000 MHz
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Dimensions
1 x 3 x 1.4mm
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot