Infineon OptiMOS™ 3 N-Channel MOSFET, 180 A, 60 V, 7-Pin D2PAK-7 IPB017N06N3GATMA1

RS tilauskoodi: 754-5412Tuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: IPB017N06N3GATMA1
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

180 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

OptiMOS™ 3

Package Type

D2PAK-7

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance

1.7 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

250 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

206 nC @ 10 V

Width

9.45mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

10.31mm

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Height

4.57mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 60 to 80V

OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 4,05

€ 4,05 kpl (ilman ALV)

€ 5,08

€ 5,08 kpl (Sis ALV:n)

Infineon OptiMOS™ 3 N-Channel MOSFET, 180 A, 60 V, 7-Pin D2PAK-7 IPB017N06N3GATMA1
Valitse pakkaustyyppi

Standardi

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 1.

Tuotanto -

Pakkauskoko 1.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

1

Pakkauskoko 1
1€ 4,05
2€ 8,10
3€ 12,15
4€ 16,20
5€ 20,25
6€ 24,30
7€ 28,35
8€ 32,40
9€ 36,45
10€ 35,00
11€ 38,50
12€ 42,00
13€ 45,50
14€ 49,00
15€ 52,50

€ 4,05

€ 4,05 kpl (ilman ALV)

€ 5,08

€ 5,08 kpl (Sis ALV:n)

Infineon OptiMOS™ 3 N-Channel MOSFET, 180 A, 60 V, 7-Pin D2PAK-7 IPB017N06N3GATMA1
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Standardi

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 1.

Tuotanto -

Pakkauskoko 1.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

1

Pakkauskoko 1
1€ 4,05
2€ 8,10
3€ 12,15
4€ 16,20
5€ 20,25
6€ 24,30
7€ 28,35
8€ 32,40
9€ 36,45
10€ 35,00
11€ 38,50
12€ 42,00
13€ 45,50
14€ 49,00
15€ 52,50

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

MääräYksikköhinta
1 - 9€ 4,05
10 - 24€ 3,50
25 - 49€ 3,30
50 - 99€ 3,10
100+€ 2,85

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

180 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

OptiMOS™ 3

Package Type

D2PAK-7

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance

1.7 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

250 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

206 nC @ 10 V

Width

9.45mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

10.31mm

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Height

4.57mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 60 to 80V

OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja